HGTG12N60A4

Igbt HGTG12N60A4

Novo IGBT

Opis

Ovaj SMPS Igbt kombinuje najbolje prednosti visokog ulaznog otpora MosFeta, kao i „low on-state’’ gubitka provodljivosti bipolarnih tranzistora. Idealan je za mnoge visoko naponske prekidacke aplikacije na visokim frekvencijama, gde su gubici smanjene provodljivosti kljucni.Možete ga sresti u Varstroj, Telwin i drugim aparatima za zavarivanje u paralelnom vezivanju. Takodje, kao rezervna elektronska komponenta se koristiti pri servisu inverterskih uredjaja, za profesionalne i hobi elektronske projekte.

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	600 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	54 A
Kućište	TO-247