IKW30H603

Igbt IKW30H603

Novo IGBT

Opis

Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brzo-pokrivajućom antiparalelnom EmCon HE diodom. Vreme podnošenja kratkog spoja je 5uS. Kao visoko naponski Igbt, pogodan je za paralelno vezivanje, što mu daje mogućnost upotrebe u veoma širokom dijapazonu različitih aplikacija (Frekventni konverteri, UPS, aparati za zavarivanje itd).

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	600 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	30 A
Kućište	PG-TO247-3
Cies (ulazni kapacitet)	1630 pF
Integrisana dioda	Da, sa brzom povratnom oporavkom