SGW50N60HS G50N60HS

Igbt SGW50N60HS G50N60HS

Novo IGBT

Opis

Ultra brzi Igbt uradjen u NPT tehologiji, čije su prednosti: Mogućnost paralelnog povezivanja, umereno povećanje Eoff sa temperaturom (Čak 30% niži od prethodne generacije) i veoma široka distribucija parametra. Dizajniran je za aplikacije koje rade iznad 30kHz.Kućište - TO-247 Konstantna struja- 100 / 150A (puls)/25 °C Napon C/E- 600V

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	600 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	50 A
Kućište	PG-TO-247-3
Cies (ulazni kapacitet)	2572 pF
Integrisana dioda	IDP45E60