IGW50N65F5

Igbt IGW50N65F5

Novo IGBT

Opis

Ultra brzi Igbt uradjen u Trenchstop tehologiji, deklarisan kao najbolji u klasi i čije su prednosti: Mogućnost paralelnog povezivanja, veoma široka distribucija parametara. Dizajniran je e za inverterske uređaje u rasponu od srednje do visoko-oscilatornih kola.

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	650 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	50 A
Kućište	PG-TO247-3
Cies (ulazni kapacitet)	3000 pF
Integrisana dioda	Da