NGTB50N65S1

Igbt NGTB50N65S1

Novo IGBT

Opis

On semi Igbt, uradjen u FS Trench konstrukciji. Primarno namenjen za Inverterske aparate za zavarivanje, kao i za ostalu komercijalnu upotrebu.

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	650 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	140 A
Kućište	TO-247
Cies (ulazni kapacitet)	3080 pF
Integrisana dioda	Da, sa brzom povratnom oporavkom