FGL40N120AND

Igbt FGL40N120AND

Novo IGBT

Opis

Još jedan Fairchildov visoko naponski tranzistor, superiornu provodljivost I prekidačke karakteristike, ovaj “ power Igbt “ je svojom robusnošću, a pre svega mogućnost podnošenja visokih struja, primarno predvidjen za aplikacije induktivnih grejanja, te kao rezervna aktivna elektronska komponenta, za trofazne inverterske aparate za zavarivanje. Takodje je prikladan za paralelno povezivanje.

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	1200 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	40 A
Kućište	TO-264
Cies (ulazni kapacitet)	3200 pF
Integrisana dioda	DA, sa Trr = 75 ns