IXSH45N120

Igbt IXSH45N120

Novo IGBT

Opis

''High speed'' Igbt sa niskim naponom Vce zasićenja (3V pod punom strujom opterećenja od 75A), uradjen u HDmos tehnologiji druge generacije. Odlikuje ga stabilna održivost napona i na visokim temperaturama. Najčešće aplikacije su: Upravljanje robotima, Kontrola brzine AC motora, UPS, trofazni inverterski aparati za zavarivanje itd.

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	1200 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	75 A
Kućište	TO-247 AD
Cies (ulazni kapacitet)	4150 pF