IXDP35N60B

Igbt IXDP35N60B

Novo IGBT

Opis

Ultra brzi Igbt uradjen u NPT tehologiji, čije su prednosti: Mogućnost paralelnog povezivanja zbog pozitivnog temperaturnog koeficijenta, umereno povećanje Eoff sa temperaturom (Čak 30% niži od prethodne generacije) i veoma široka distribucija parametra. Primarna namena mu je u konstrukciji DC čopera, SMPS uredjaja, svi inverterski uredjaji, kao i u kontroli rada motora.

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	600 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	60 A
Kućište	TO-220 AB
Cies (ulazni kapacitet)	1600 pF
Integrisana dioda	Ultra brza dioda (FRED) opciono