IKW30N60H3

IKW30N60H3

Novo IGBT

Opis

Infineon-ov Igbt iz serije tranzistora za rezonantne prekidačke aplikacije uradjen u TRENCHSTOPi FieldStop tehnologiji, poseduje vrlo široku distribuciju parametara kao i temperaturnu stabilnost uz održanje mehaničke čvrstoće. Kao visoko naponski Igbt, pogodan je za paralelno vezivanje, što mu daje mogućnost upotrebe u veoma širokom dijapazonu različitih inverterskih aplikacija.Serviseri će ga prepoznati u Varstroj aparatu za zavarivanje.

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	600 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	60 A
Kućište	TO-247
Cies (ulazni kapacitet)	1630 pF
Integrisana dioda	Da