IKW30T60 IKW30N60T

Igbt IKW30T60 IKW30N60T

Novo IGBT

Opis

Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brzo-pokrivajućom antiparalelnom EmCon HE diodom. Vreme podnošenja kratkog spoja je 5uS. Kao visoko naponski Igbt, pogodan je za paralelno vezivanje, što mu daje mogućnost upotrebe u veoma širokom dijapazonu različitih aplikacija (Frekventni konverteri, UPS, aparati za zavarivanje itd).

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	600 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	30 A
Kućište	PG-TO-247-3-21
Cies (ulazni kapacitet)	1630 pF
Integrisana dioda	Soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE dioda sa VF=1.65V na 25°C