Igbt HGTG30N60B3D
Za galeriju kliknite na sliku
Igbt HGTG30N60B3D
Ovaj SMPS Igbt kombinuje najbolje prednosti visokog ulaznog otpora MosFeta, kao i „low on-state’’ gubitka provodljivosti bipolarnih tranzistora. Idealan je za mnoge visoko naponske prekidacke aplikacije na visokim frekvencijama, gde su gubici smanjene provodljivosti kljucni. Takodje, kao rezervna elektronska komponenta, moze se koristiti pri servisu inverterskih uredjaja, za profesionalne i hobi elektronske projekte. Antiparalelna dioda je integrisana u kućište.
Vce (napon kolektor-emiter) | (V) | 600V |
+/-Vge (napon gejt-emiter) | (V) | 25 |
Ic (struja kolektora) na 25 °C | (A) | 60 |
Ic (struja kolektora) na 110 °C | (A) | 30 |
Ic (struja kolektora) pulsna (uključ.) | (A) | 220 |
Ukupna snaga disipacije | (W) | 208 |
Kućište |
| TO-247 |
- Pregleda: 1613
- Brend: Inverter Elektronika
- Šifra artikla: YW9-a
- Raspoloživost: Na lageru
- Preuzmi PDF:
- 495 RSD
- 5 ili više komada dobijate po ceni: 442 RSD
Nema na lageru
Nema na lageruOvaj SMPS N-kanalni Igbt, kombinuje najbolje prednosti visokog ulaznog otpora MosFeta,kao i&nb..
455 RSD
Nema na lageruKoristeći
Fairchildov dizajn, superiornu provodljivost I prekidačke
karakteristike, ov..
594 RSD
Ovaj SMPS Igbt kombinuje najbolje prednosti visokog ulaznog otpora MosFeta, kao i „low on-state..
515 RSD
Nema na lageruOvaj N-kanalni SMPS Igbt kombinuje najbolje prednosti visokog ulaznog otpora MosFeta, kao i „lo..
523 RSD