Igbt NGB8204N
Za galeriju kliknite na sliku
Igbt NGB8204N
''High speed'' N-kanalni Igbt sa integrisanom gejt-emiter ESD zaštitom, kao i prenaponskom zaštitom, a sve u svrhu korišćenja u induktivim opterećenjima (namotaji releja i slično).
Vce (napon kolektor-emiter) | (V) | 430V |
+/-Vge (napon gejt-emiter) | (V) | 18 |
Ic (struja kolektora) na 25 °C | (A) | 18 |
Ic (struja kolektora) na 100 °C | (A) |
|
Ic (struja kolektora) pulsna (uključ.) | (A) | 50A/25°C |
Ukupna snaga disipacije | (W) | 115 |
Kućište |
| D2-PAK |
- Pregleda: 1965
- Brend: Inverter Elektronika
- Šifra artikla: YW7-c
- Raspoloživost: Na lageru
- Preuzmi PDF:
- 515 RSD
- 5 ili više komada dobijate po ceni: 462 RSD
Nema na lageruMosfet gate driver ADP3110A je optimizovan za upravljanje "Low side" i "High side" Mosfet..
309 RSD
Igbt, Mosfet driver sa zaštitom u celom području rada iz kompanije Ixys, svojim karakteristikama doz..
774 RSD
Nema na lageruVce (napon kolektor-emiter)(V)1000V+/-Vge (napon gejt-emiter)(V) 25Ic (struja ko..
606 RSD
''High speed'' N-kanalni Igbt sa integrisanom gejt-emiter ESD zaštitom, kao i prenaponskom zaš..
251 RSD
N-kanalni Igbt.Vce (napon kolektor-emiter)(V)400V+/-Vge (napon gejt-emiter)(V) 4Ic&nb..
463 RSD