Igbt RJP30H1
Nema na lageru
Za galeriju kliknite na sliku
Igbt RJP30H1
Silikonski N-kanalni Igbt sa velikom brzinom prekidanja, malim naponom zasićenja, niskom strujom curenja itd.
Vce (napon kolektor-emiter) | (V) | 360V |
+/-Vge (napon gejt-emiter) | (V) | 30 |
Ic (struja kolektora) na 25 °C | (A) | 30 |
Ic (struja kolektora) na 100 °C | (A) |
|
Ic (struja kolektora) pulsna (uključ.) | (A) | 200 |
Ukupna snaga disipacije | (W) | 40 / 20 |
Kućište |
| TO-252 |
- Pregleda: 1741
- Brend: Inverter Elektronika
- Šifra artikla: YW39-b
- Raspoloživost: Nema na lageru
- Preuzmi PDF:
- 127 RSD
- 5 ili više komada dobijate po ceni: 114 RSD
GT30J122A je četvrta generacija Igbt-a, te se odlikuje velikom brzinom prekidanja, iskljucivo proiz..
686 RSD
Nema na lageruGT50JR22 je šesta generacija Igbt-a, te se odlikuje velikom brzinom prekidanja, iskl..
568 RSD
Četvrta generacija Igbt-a se odlikuje velikom brzinom prekidanja, malim naponom zasićenja. Kons..
436 RSD
''High speed'' Igbt sa niskim naponom Vce zasićenja (2,5V pod punom strujom opterećenja od 48A), ura..
634 RSD
''High speed'' Igbt sa niskim naponom Vce zasićenja (2,5V-3V pod punom strujom opterećenja od 40A), ..
1.844 RSD