Igbt HGTG20N60A4D

Igbt HGTG20N60A4D (IGBT tranzistori) - www.elektroika.co.rs

Igbt HGTG20N60A4D

Ovaj SMPS Igbt kombinuje najbolje prednosti visokog ulaznog otpora MosFeta, kao i low on-state’’ gubitka provodljivosti bipolarnih tranzistora. Idealan je za mnoge visoko naponske prekidacke aplikacije na visokim frekvencijama, gde  su gubici smanjene provodljivosti kljucni. Takodje, kao rezervna elektronska komponenta, moze se  koristiti pri servisu inverterskih uredjaja, za profesionalne i hobi elektronske projekte.


Vce (napon kolektor-emiter)

(V)

600V

+/-Vge (napon gejt-emiter)

(V)

 20

Ic (struja kolektora) na  25 °C   

(A)

   70

Ic (struja kolektora) na 110 °C   

(A)

  40

Ic (struja kolektora) pulsna (uključ.)

(A)

280

Ukupna snaga disipacije  25 °C 

(W)

 290

Kućište

 

TO-247   

Napišite ocenu

Napomena: HTML oznake neće biti izvršene i prikazivaće se kao tekst!
    Loš           Dobar

289 Product(s) Sold
  • 515 RSD
  • 5 ili više komada dobijate po ceni: 475 RSD

Tagovi: igbt, hgtg20n60a4d, tranzistori