Igbt RJP30H1
Nema na lageru
Igbt RJP30H1
Silikonski N-kanalni Igbt sa velikom brzinom prekidanja, malim naponom zasi?enja, niskom strujom curenja itd.
Vce (napon kolektor-emiter) | (V) | 360V |
+/-Vge (napon gejt-emiter) | (V) | 30 |
Ic (struja kolektora) na 25 C | (A) | 30 |
Ic (struja kolektora) na 100 C | (A) |
|
Ic (struja kolektora) pulsna (uklju?.) | (A) | 200 |
Ukupna snaga disipacije | (W) | 40 / 20 |
Ku?ite |
| TO-252 |
- : 2403
- Brend: Inverter Elektronika
- Šifra artikla: YW39-b
- Raspoloživost: Nema na lageru
- Preuzmi PDF:
20 Product(s) Sold
- 127 RSD
- 5 ili više komada dobijate po ceni: 114 RSD
GT30J122A je ?etvrta generacija Igbt-a, te se odlikuje velikom brzinom prekidanja, iskljucivo proiz..
686 RSD
Nema na lageruGT50JR22 je esta generacija Igbt-a, te se odlikuje velikom brzinom prekidanja, iskl..
568 RSD
?etvrta generacija Igbt-a se odlikuje velikom brzinom prekidanja, malim naponom zasi?enja. Kons..
436 RSD
''High speed'' Igbt sa niskim naponom Vce zasi?enja (2,5V pod punom strujom optere?enja od 48A), ura..
634 RSD
''High speed'' Igbt sa niskim naponom Vce zasi?enja (2,5V-3V pod punom strujom optere?enja od 40A), ..
1.844 RSD