GT40QR21

Igbt GT40QR21

Novo IGBT

Opis

GT40QR21 je RC-Igbt šeste generacije sa zaštitnom diodom, te je primarna namena ovog Toshiba tranzistora u naponsko rezonantnim inverterskim prekidačkim aplikacijama.

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	1200 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	40 A
Kućište	TO-3P(N)
Cies (ulazni kapacitet)	1500 pF
Integrisana dioda	Da