GT40WR21

Igbt GT40WR21

Novo IGBT

Opis

GT40WR21 je jos jedan u nizu novih Toshiba tranzistora. Ovaj Igbt šeste generacije je predvidjen za naponsko rezonantne inverterske aplikacije, za visoko naponsko prekidanje strujnog kola,sa ugradjenom zaštitnom diodom. Izuzente karakteristike ga svrstavaju u sam vrh za ovu namenu predvidjenih Igb-tranzistora. U kućištu je integrisana zaštitna dioda Trr= 1uS!.

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	1800 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	40 A
Kućište	TO-3P(N)
Cies (ulazni kapacitet)	4500 pF
Integrisana dioda	Da