GT60PR21

Igbt GT60PR21

Novo IGBT

Opis

GT60PR21 je takodje Igbt šeste generacije predvidjen za naponsko rezonantne inverterske aplikacije, za visoko naponsko prekidanje strujnog kola,sa ugradjenom zaštitnom diodom. Izuzente karakteristike ga svrstavaju u sam vrh za ovu namenu predvidjenih Igb-tranzistora.

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	1100 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	60 A
Kućište	TO-3P(N)
Cies (ulazni kapacitet)	2350 pF
Integrisana dioda	Da, sa freewheeling diodom monolitski integrisanom u IGBT čipu