NGB8206N

Igbt NGB8206N

Novo IGBT

Opis

''High speed'' N-kanalni Igbt sa integrisanom gejt-emiter ESD zaštitom, kao i prenaponskom zaštitom, a sve u svrhu korišćenja u induktivim opterećenjima (namotaji releja i slično), te bilo kojoj aplikaciji koja zahteva prekidanja na visokom naponu i visokoj struji.

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	390 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	20 A
Kućište	D2PAK
Integrisana dioda	Da