RJP30H1

Igbt RJP30H1

Novo IGBT

Opis

Silikonski N-kanalni Igbt sa velikom brzinom prekidanja, malim naponom zasićenja, niskom strujom curenja itd.

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	360 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	40 A
Kućište	TO-252 (PRSS0004ZJ-A)
Cies (ulazni kapacitet)	8 pF