IHW20R1202

Igbt IHW20R1202

Novo IGBT

Opis

Infineon-ov Igbt iz serije tranzistora za rezonantne prekidačke aplikacije uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, poseduje vrlo široku distribuciju parametara kao i temperaturnu stabilnost uz održanje mehaničke čvrstoće. Kao visoko naponski Igbt, pogodan je za paralelno vezivanje, što mu daje mogućnost upotrebe u veoma širokom dijapazonu različitih aplikacija (Induktivno kuvanje, inverterske mikrotalasne pećnice, rezonantni konverteri, aplikacije sa ''mekim'' prekidanjem itd).

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	1200 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	20 A
Kućište	PG-TO247-3
Cies (ulazni kapacitet)	1503 pF
Integrisana dioda	Da, sa niskom forward naponom