IRF530N

Mosfet IRF530N

Novo MOSFET

Opis

IRov (International rectfier) P- kanalni Mosfet brzih prekidačkih karakteristika koristi naprednu HEXFET tehnologiju. Prikladan je za generalnu upotrebu u svim visoko efikasnim i zahtevno brzim prekidačkim kolima, a sam tranzistor je predvidjen u uradjijima gde je dozvoljena toplotna disipacija do 50W.

Tehničke karakteristike

Tip kanala (N/P)	N-kanalni
Drain-Source Voltage (Vds)	100 V
Continuous Drain Current @ 25°C (Id)	17 A
Kućište	TO-220AB