HGTG30N60B3D

Igbt HGTG30N60B3D

Novo IGBT

Opis

Ovaj SMPS Igbt kombinuje najbolje prednosti visokog ulaznog otpora MosFeta, kao i „low on-state’’ gubitka provodljivosti bipolarnih tranzistora. Idealan je za mnoge visoko naponske prekidacke aplikacije na visokim frekvencijama, gde su gubici smanjene provodljivosti kljucni. Takodje, kao rezervna elektronska komponenta, moze se koristiti pri servisu inverterskih uredjaja, za profesionalne i hobi elektronske projekte. Antiparalelna dioda je integrisana u kućište.

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	600 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	60 A
Kućište	TO-247
Integrisana dioda	Anti-paralelna hyperfast dioda, VEC 1.95 V (tipično)