MP6750

Igbt MP6750

Novo IGBT

Opis

1. Igbt Toshiba trofazni modul sa 6 integrisanih Igb tranzistora i zaštitnom diodom pojedinačno. Primarno je konstruisan za kontrolu motora, kao i za jače prekidačke aplikacije. Odlikuje ga nizak napon zasićenja od svega 4V, te velika brzina odziva.

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	600 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	15 A
Kućište	2-78A1A
Cies (ulazni kapacitet)	1000 pF