NGTG50N60FLW

Igbt NGTG50N60FLW

Novo IGBT

Opis

On-Semi Igbt , uradjen u TRENCH tehnologiji, bez diode. Vreme podnošenja kratkog spoja je 5uS. Kao visoko naponski Igbt, pogodan je za paralelno vezivanje, što mu daje mogućnost upotrebe u veoma širokom dijapazonu različitih aplikacija (Frekventni konverteri, PFC, solarni konverteri, UPS, aparati za zavarivanje itd).

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	600 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	100 A
Kućište	TO-247 (CASE 340L STYLE 4)
Cies (ulazni kapacitet)	7302 pF
Integrisana dioda	Da (NGTB50N60FLWG)