Igbt HGTG30N60A4D
Igbt HGTG30N60A4D
Ovaj N-kanalni SMPS Igbt kombinuje najbolje prednosti visokog ulaznog otpora MosFeta, kao i „low on-state’’ gubitka provodljivosti bipolarnih tranzistora. Idealan je za mnoge visoko naponske prekidacke aplikacije na visokim frekvencijama, gde su gubici smanjene provodljivosti kljucni. Takodje, kao rezervna elektronska komponenta, moze se koristiti pri servisu inverterskih uredjaja, za profesionalne i hobi elektronske projekte.
Napomena: Ovaj tranzistor dolazi sa integrisanom diodom!
Vce (napon kolektor-emiter) | (V) | 600V |
+/-Vge (napon gejt-emiter) | (V) | 20 |
Ic (struja kolektora) na 25 °C | (A) | 75 |
Ic (struja kolektora) na 110 °C | (A) | 60 |
Ic (struja kolektora) pulsna (uključ.) | (A) | 240 |
Ukupna snaga disipacije | (W) | 463 / 230 |
Kućište |
| TO-247 |
- Pregleda: 2006
- Brend: Inverter Elektronika
- Šifra artikla: YW4-ab
- Raspoloživost: Nema na lageru
- Preuzmi PDF:
- 523 RSD
- 5 ili više komada dobijate po ceni: 469 RSD
Nema na lageru
Nema na lageru
