Igbt SGP15N120
Za galeriju kliknite na sliku
Igbt SGP15N120
Ultra brzi Igbt uradjen u NPT tehologiji, čije su prednosti: Mogućnost paralelnog povezivanja, umereno povećanje Eoff sa temperaturom (Čak 40% niži od prethodne generacije) i veoma široka distribucija parametra. Primarna namena mu je u konstrukciji SMPS uredjaja, svi inverterski uredjaji, kao i u kontroli rada motora.
Vce (napon kolektor-emiter) | (V) | 1200V |
+/-Vge (napon gejt-emiter) | (V) | 20 |
Ic (struja kolektora) na 25 °C | (A) | 30 |
Ic (struja kolektora) na 100 °C | (A) | 15 |
Ic (struja kolektora) pulsna (uključ.) | (A) | 52 |
Ukupna snaga disipacije | (W) | 198 |
Kućište |
| TO-220 |
| Igbt | |
| Ic (struja kolektora) na 25°C "A" | 30 |
| Integrisana dioda | NE |
| Kućište | TO220 |
| P (ukupna snaga disipacije) "W" | 198 |
| TIP | N-kanalni |
| Vce (napon kolektor-emiter) "V" | 1200 |
| Vge (napon gejt-emiter) "V" | 20 |
- Pregleda: 1643
- Brend: Inverter Elektronika
- Šifra artikla: YW21-a
- Raspoloživost: Na lageru
- Preuzmi PDF:
- 539 RSD
- 5 ili više komada dobijate po ceni: 469 RSD
Nema na lageruOdlican, optoizolovani jednokanalni Mosfet i Igbt drajver (driver) je idealan za kontrolu gejta u i..
211 RSD
Ultra brzi Igbt uradjen u NPT tehologiji, čije su prednosti: Mogućnost paralelnog povezivanja, umere..
475 RSD
Nema na lageruUltra brzi Igbt uradjen u NPT tehologiji, čije su prednosti: Mogućnost paralelnog povezivanja, umere..
581 RSD
Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brz..
581 RSD
Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brz..
792 RSD