Igbt IKW25N120T2
Za galeriju kliknite na sliku
Igbt IKW25N120T2
Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brzo-pokrivajućom antiparalelnom diodom. Vreme podnošenja kratkog spoja je 10uS. Kao visoko naponski Igbt, pogodan je za paralelno vezivanje, što mu daje mogućnost upotrebe u veoma širokom dijapazonu različitih aplikacija (Frekventni konverteri, UPS, itd).
Vce (napon kolektor-emiter) | (V) | 1200V |
+/-Vge (napon gejt-emiter) | (V) | 20 |
Ic (struja kolektora) na 25 °C | (A) | 50 |
Ic (struja kolektora) na 110 °C | (A) | 25 |
Ic (struja kolektora) pulsna (uključ.) | (A) | 100 |
Ukupna snaga disipacije | (W) | 349 |
Kućište |
| TO-247 -3 |
- Pregleda: 1815
- Brend: Inverter Elektronika
- Šifra artikla: YW30-a
- Raspoloživost: Na lageru
- Preuzmi PDF:
- 581 RSD
- 5 ili više komada dobijate po ceni: 521 RSD
Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brz..
594 RSD
Nema na lageruVce (napon kolektor-emiter)(V)1000V+/-Vge (napon gejt-emiter)(V) 25Ic (struja ko..
606 RSD
Nema na lageruInfineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brz..
792 RSD
Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brz..
519 RSD
Ultra brzi Igbt uradjen u NPT tehologiji, čije su prednosti: Mogućnost paralelnog povezivanja, umere..
539 RSD