Igbt IRG4PC50S
Za galeriju kliknite na sliku
Igbt IRG4PC50S
Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brzo-pokrivajućom antiparalelnom EmCon (Emiter controlled) HE diodom. Vreme podnošenja kratkog spoja je 10uS. Kao visoko naponski Igbt, pogodan je za paralelno vezivanje, što mu daje mogućnost upotrebe u veoma širokom dijapazonu različitih aplikacija (Frekventni konverteri, UPS, aparati za zavarivanje itd).
Vce (napon kolektor-emiter) | (V) | 1200V |
+/-Vge (napon gejt-emiter) | (V) | 20 |
Ic (struja kolektora) na 25 °C | (A) | 50 |
Ic (struja kolektora) na 100 °C | (A) | 25 |
Ic (struja kolektora) pulsna (uključ.) | (A) | 75 |
Ukupna snaga disipacije | (W) | 190 |
Kućište |
| TO-247AC |
- Pregleda: 1599
- Brend: Inverter Elektronika
- Šifra artikla: YW5-c
- Raspoloživost: Na lageru
- Preuzmi PDF:
- 519 RSD
- 5 ili više komada dobijate po ceni: 462 RSD
Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brz..
594 RSD
Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brz..
581 RSD
Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brz..
792 RSD
Ultra brzi Igbt uradjen u NPT tehologiji, čije su prednosti: Mogućnost paralelnog povezivanja, umere..
581 RSD
Ultra brzi Igbt uradjen u NPT tehologiji, čije su prednosti: Mogućnost paralelnog povezivanja, umere..
359 RSD