Igbt SGB15N60HS
Za galeriju kliknite na sliku
Igbt SGB15N60HS
Ultra brzi Igbt uradjen u NPT tehologiji, čije su prednosti: Mogućnost paralelnog povezivanja, umereno povećanje Eoff sa temperaturom (Čak 30% niži od prethodne generacije) i veoma široka distribucija parametra.
Vce (napon kolektor-emiter) | (V) | 600V |
+/-Vge (napon gejt-emiter) | (V) | 20 |
Ic (struja kolektora) na 25 °C | (A) | 27 |
Ic (struja kolektora) na 100 °C | (A) | 15 |
Ic (struja kolektora) pulsna (uključ.) | (A) | 60 |
Ukupna snaga disipacije | (W) | 138 |
Kućište |
| TO-263AB |
- Pregleda: 1769
- Brend: Inverter Elektronika
- Šifra artikla: YW1-c
- Raspoloživost: Na lageru
- Preuzmi PDF:
- 359 RSD
- 5 ili više komada dobijate po ceni: 317 RSD
Ultra brzi Igbt uradjen u NPT tehologiji, čije su prednosti: Mogućnost paralelnog povezivanja, umere..
475 RSD
Nema na lageruUltra brzi Igbt uradjen u NPT tehologiji, čije su prednosti: Mogućnost paralelnog povezivanja, umere..
581 RSD
Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brz..
519 RSD
Ultra brzi Igbt uradjen u NPT tehologiji, čije su prednosti: Mogućnost paralelnog povezivanja, umere..
581 RSD
Ultra brzi Igbt uradjen u NPT tehologiji, čije su prednosti: Mogućnost paralelnog povezivanja, umere..
539 RSD